[发明专利]一种高亮度的纳米图形衬底结构的制备方法有效
| 申请号： | 202211072067.7 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115172554B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 席光义;刘志刚;席庆男;许南发;李志 | 申请（专利权）人： | 元旭半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 孙合通 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于LED紫外消杀技术领域，提供了一种高亮度的纳米图形衬底结构及其制备方法,高亮度的纳米图形衬底结构包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的表面具有若干圆台状结构，若干圆台状结构呈周期排列设置，且圆台状结构的高度为350nm‑700nm，顶部直径为400nm‑600nm，侧壁与底边间的夹角为40‑60°。本发明纳米级的图形结构能够弥补AlN横向生长迁移能力的不足，利于紫外光生长材料的生长，更加适用于UVC‑LED芯片的制备；此外，该纳米图形衬底结构，均匀性好，改善了传统PSS表面晶体结构损伤的缺陷，晶体质量得到有效提高，且具有的图形结构侧壁光滑、倾斜角度恒定并大于全反射角角度，能够有效的提高发光效率，利用该纳米图形衬底结构进行UVC芯片的制备，能够大大提高UVC芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 纳米 图形 衬底 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元旭半导体科技股份有限公司，未经元旭半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211072067.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于k8s集群的资源调度方法及装置
- 下一篇：一种设备壳体加工用激光切割机
