[发明专利]沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211063707.8 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115394835A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林苡任;崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构包括覆盖于栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层，以及位于栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构；设置在栅极沟槽结构的一侧，且与栅极沟槽结构接触的第一掺杂类型的第一掺杂区；设置在栅极沟槽结构的另一侧，且与栅极沟槽结构间隔的第二掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例，能够实现碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自身的温度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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