[发明专利]具有电压检测功能的功率半导体器件在审
| 申请号： | 202211052581.4 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115394756A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨洋;赵一尚;黄龄萱;夏梓铭;王彤阳;刘小菡;陈雨佳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/739;H01L27/07;G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供具有电压检测功能的功率半导体器件，包括：集成在同一衬底上的功率IGBT器件、过渡区器件和IGBT电压检测器件；可以通过检测电压引出端得到与功率IGBT器件集电极电压变化趋势相同的电压，及时反馈，且不用额外增加器件的面积。采用与器件同一套工艺流程集成电压检测结构，电压检测结构与原器件的兼容性好，不需要额外的电压检测电路，能减小整体面积，降低功耗成本。同时，集成在IGBT电压检测器件区的电压检测电容与寄生电容并联能够保证采样点电压更低，兼容更低压的模拟控制电路对采样信号进行处理，进一步优化了设计成本和器件兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 检测 功能 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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