[发明专利]PtTe2

摘要

本发明涉及一种PtTe2/MoTe2光电晶体管、制备方法和应用。其制备方法包括：获取半导体相MoTe2纳米片；获取拓扑半金属PtTe2纳米片；利用干法转移工艺将所述半导体相MoTe2纳米片转移到所述拓扑半金属PtTe2纳米片上，在所述半导体相MoTe2纳米片与所述拓扑半金属PtTe2纳米片的重叠位置形成垂直范德华异质结；在所述垂直范德华异质结的MoTe2纳米片侧以及PtTe2纳米片侧分别蒸镀所述金属电极；对带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理，生成拓扑半金属PtTe2/半导体相MoTe2范德华异质结的光电晶体管。本发明的异质结属于外尔半金属/半导体肖特基结，器件能够实现工作模式随偏压变化而进行相应切换，实现了微秒级别(16.5μs)的响应速度和400‑1550nm的宽谱探测。