[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211035563.5 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN116454047A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 洪智硕;吕晟溱;洪润基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 沈照千;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别具有第一有源图案和第二有源图案的单元区域和芯区域以及位于单元区域与芯区域之间的边界区域，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，以填充沟槽；线结构，位于第一有源图案上并且从单元区域延伸到边界区域；以及盖图案，覆盖线结构的位于边界区域上的端部。器件隔离层包括至少部分地限定与线结构的端部相邻的凹进区域的一个或更多个内表面，并且盖图案沿着线结构的端部延伸到凹进区域中。器件隔离层的顶表面位于线结构与盖图案的底表面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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