[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202211035501.4 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115274564A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 邵波 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制造方法，包括：形成贯穿叠层结构的多个电容孔，叠层结构包括交替设置的第二牺牲层、第二支撑层、第一牺牲层和第一支撑层；形成包括随形覆盖电容孔表面的第一导电材料段及覆盖叠层结构顶面的第二导电材料段的导电材料层；在导电材料层上形成具有多个开口的硬掩模层，以硬掩模层为掩模对导电材料层和第一支撑层进行刻蚀，以将开口转移至第一牺牲层上，并去除剩余的硬掩模层；沿开口去除第一牺牲层；沿开口对导电材料层和第二支撑层进行刻蚀，以将开口继续转移至第二牺牲层上；去除剩余的第二导电材料段；沿开口去除第二牺牲层，剩余的第一导电材料段形成为底部电极，剩余的第一支撑层和第二支撑层支撑底部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
