[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器在审
| 申请号： | 202211033442.7 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115274563A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 熊少游 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储器，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、多个接触插塞以及多个第一介质部，接触插塞与第一介质部在衬底上沿与衬底厚度方向垂直的方向交替设置；在接触插塞远离衬底的表面上形成间隔排布的第一导电部，第一导电部与接触插塞连接；在第一导电部上形成介质层；形成多个第二导电部，第二导电部贯穿介质层，且与第一预定表面以及第二预定表面分别接触，第一预定表面为第一导电部的部分表面，第二预定表面为与第一预定表面相邻的第一介质部的部分表面。本申请解决了现有技术中直接对导电层进行刻蚀，来形成S型的接触垫片，造成刻蚀过程较难控制，且得到的接触垫片形貌不好的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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