[发明专利]一种基于真空速凝炉的钐钴磁体制造方法有效

专利信息
申请号: 202211029985.1 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115331942B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 邹光荣;姜战军;郭宝红;石春梅;刘国防 申请(专利权)人: 西安西工大思强科技股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/055
代理公司: 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 代理人: 张美松
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及钐钴永磁体技术领域,公开了一种基于真空速凝炉的钐钴磁体制造方法;分别称取金属钐、金属钴、纯铁、电解铜和海绵锆作为熔炼原料,称取熔炼原料质量的1~2%的金属钐作为烧损补充料;将熔炼原料和烧损补充料装入真空速凝炉的坩埚内熔炼为金属液,浇注至中间包内,金属液在中间包底部与水冷铜辊接触后制成金属薄片,金属薄片经冷却后制成钐钴磁体甩带片,钐钴磁体甩带片由颚式破碎机、真空带筛球磨机和气流磨粉机进一步粉碎到4~6μm粉料,粉料在磁场中取向压制成型后,由冷等静压机压制成生坯,生坯经真空烧结、固溶处理和时效处理后制成钐钴磁体;本发明具有增加钐钴磁体甩带片厚度,且能够提升钐钴磁体的磁体性能的优点。
搜索关键词: 一种 基于 空速 磁体 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安西工大思强科技股份有限公司,未经西安西工大思强科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211029985.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top