[发明专利]一种基于真空速凝炉的钐钴磁体制造方法有效
申请号: | 202211029985.1 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115331942B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 邹光荣;姜战军;郭宝红;石春梅;刘国防 | 申请(专利权)人: | 西安西工大思强科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/055 |
代理公司: | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人: | 张美松 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及钐钴永磁体技术领域,公开了一种基于真空速凝炉的钐钴磁体制造方法;分别称取金属钐、金属钴、纯铁、电解铜和海绵锆作为熔炼原料,称取熔炼原料质量的1~2%的金属钐作为烧损补充料;将熔炼原料和烧损补充料装入真空速凝炉的坩埚内熔炼为金属液,浇注至中间包内,金属液在中间包底部与水冷铜辊接触后制成金属薄片,金属薄片经冷却后制成钐钴磁体甩带片,钐钴磁体甩带片由颚式破碎机、真空带筛球磨机和气流磨粉机进一步粉碎到4~6μm粉料,粉料在磁场中取向压制成型后,由冷等静压机压制成生坯,生坯经真空烧结、固溶处理和时效处理后制成钐钴磁体;本发明具有增加钐钴磁体甩带片厚度,且能够提升钐钴磁体的磁体性能的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 空速 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】:
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