[发明专利]一种外延生长方法及外延晶圆在审
| 申请号： | 202211019953.3 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115198352A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王力 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C23C16/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种外延生长方法及外延晶圆；所述外延生长方法包括：反应腔室的清洁阶段：通过向所述反应腔室通入化学气相刻蚀气体以对所述反应腔室进行清洁；外延生长阶段：将抛光晶圆放入已清洁的所述反应腔室中进行化学气相沉积反应，生成外延晶圆；其中，在所述反应腔室的清洁阶段和所述外延生长阶段，控制通入反应腔室中所述化学气相刻蚀气体和载气的流量比例；以及，控制风机的转速以调控所述石英钟罩的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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