[发明专利]一种高Tc纳米粒子掺杂二硼化镁的制备方法有效
| 申请号： | 202211001058.9 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115340386B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 唐静 | 申请（专利权）人： | 陕西国际商贸学院 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 712046 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高Tc纳米粒子掺杂二硼化镁的制备方法，该方法包括：一、将氧化铜、铜酸钡、氧化钙、碳酸钙混合并研磨后装入Ag管或者Cu管中进行高压热处理得到Cu1234纳米粒子；二、将Cu1234纳米粒子与硼粉、镁粉按混合并研磨，然后装入Ag管或者Nb管中进行冷压得到预制块；三、经高压热处理得到高Tc纳米粒子掺杂二硼化镁。本发明通过在二硼化镁中引入高Tc的Cu1234纳米粒子作为磁通钉扎中心，极大地改善了二硼化镁的磁通钉扎性能，且Cu1234纳米粒子在高压热处理下形成的氧化物不干扰二硼化镁成相，同时有效细化晶粒，提高了二硼化镁的密度，从而获得高性能的二硼化镁块材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tc 纳米 粒子 掺杂 二硼化镁 制备 方法 | ||
【主权项】：
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