[发明专利]一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210988070.7 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115275007A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余志强;陈诚;镇丹;谢泉;高廷红;肖清泉;陈茜;刘宝生;徐佳敏;韩旭;曲信儒 | 申请（专利权）人： | 广西科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 张淑枝 |
| 地址： | 545006 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，该器件阻变层由二元金属氧化物ZnO构成，底电极由ITO构成，金属顶电极由W构成，其中，器件的ZnO薄膜阻变层采用操作简单、高效的匀胶法工艺制备，而器件的顶电极则通过磁控溅射镀膜技术设计。本发明在器件架构物理层面，在不额外引入串联整流器件、非线性电阻的情况下，忆阻器可以有效克服串扰电流对器件稳定性的不利影响，在器件的高密度三维集成方面具有重要的应用潜力。在器件性能层面，通过对外加物理场的有序调控可以实现单个器件存储单元多阻态的高密度存储，具有高稳定性与非易失性的自整流多值阻变存储特性，在下一代非易失性高密度存储器方面具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流 zno 薄膜 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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