[发明专利]半导体器件的制作方法、存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202210988063.7 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115274453A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;浦彩华 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法、存储器及其制作方法、存储器系统，所述半导体器件的制作方法包括：在半导体结构中形成沟槽；其中，所述沟槽的底部位于所述半导体结构内；在所述沟槽内填充第一掺杂材料，形成第一掺杂层；其中，所述第一掺杂层覆盖所述沟槽侧壁的第一区域，沿垂直于所述半导体结构的第一方向，所述第一区域的尺寸小于所述沟槽侧壁的尺寸；对所述半导体结构进行热处理；其中，在所述热处理过程中，所述第一掺杂层的掺杂粒子扩散进入所述第一区域，形成所述半导体器件的第一掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 存储器 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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