[发明专利]相变存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202210986758.1 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115249765A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘广宇;刘峻;杨海波;彭文林;付志成 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 赵翠萍;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提出了一种相变存储器及其制造方法，其中，所述相变存储器，包括：相变存储单元，所述相变存储单元至少包括依次堆叠设置的第一电极、选通层、第二电极；所述选通层包括交替堆叠设置的第一子选通层和第二子选通层；所述第一子选通层的材料至少包括锗元素、硫属元素以及第一掺杂元素；其中，所述硫属元素包括硫元素和/或硒元素；所述第二子选通层的材料包括预设金属元素；在所述第一电极和第二电极接收电压时，所述第一掺杂元素和所述预设金属元素用于为所述选通层提供金属离子。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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