[发明专利]一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法在审
| 申请号： | 202210963178.0 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116487443A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 汪之涵;和巍巍;喻双柏 | 申请（专利权）人： | 基本半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 211806 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤层；在外延炉中通入H2气体为载气，并通入碳源气体，对衬底表面进行碳化；在外延炉中通入H2气体为载气，通入硅源气体、碳源气体及掺杂气体，并在高温下反应生成3C碳化硅。本发明相比于传统的4H碳化硅同质外延，在外延生长前预先在硅衬底上形成应力释放结构，降低了外延生长过程中由于晶格失配及热膨胀失配带来的缺陷、孔洞和碎片等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 碳化硅 材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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