[发明专利]一种半导体表面缺陷检测方法有效
| 申请号： | 202210935102.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115020267B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黄敏 | 申请（专利权）人： | 启东旺晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人： | 周美锋 |
| 地址： | 226200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子元件领域，具体涉及一种半导体表面缺陷检测方法，利用机器视觉对生产过程中的半导体缺陷进行识别。包括：获取半导体表面图像，对半导体表面图像灰度值及其频率拟合得到两个子高斯模型；根据子高斯模型的数据进行阈值分割，从而确定所有的疑似划痕像素点；划分疑似划痕区域，确定疑似划痕区域的疑似划痕像素点所属的疑似划痕方向；分别计算每个疑似划痕区域中各疑似划痕方向的划痕概率；计算该疑似划痕区域为划痕区域的可能性从而确定出所有的划痕区域，确定划痕缺陷区域。本发明根据图像亮度提取疑似划痕像素点，利用疑似点的方向性进行划痕的检测，可以对划痕的较浅位置区域进行检测，提高了对半导体元件检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
