[发明专利]基于SSEL-EMVS稀疏阵列的2D-DOA估计方法在审
| 申请号： | 202210925114.1 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115453452A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 陈伯孝;朱东晨;井佳秋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01S3/14 | 分类号： | G01S3/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于SSEL‑EMVS稀疏阵列的2D‑DOA估计方法，通过获取矩形SSEL‑EMVS阵列接收到的数据，利用ESPRIT算法对接收到的数据进行处理，获得传播矢量存在周期模糊的高精度估计结果；一方面，在阵列EMVS的电尺寸已知或未知时，分别使用矢量叉积法和基于电磁矢量实部和虚部组合的方法得到了低精度但无周期模糊的2D‑DOA估计结果。另一方面，本发明将这种低精度但无周期模糊的估计算法与存在周期性模糊的精确估计结果的ESPRIT算法相结合，得到高精度且无周期模糊的闭式2D‑DOA估计结果，提高了2D‑DOA估计性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ssel emvs 稀疏 阵列 doa 估计 方法 | ||
【主权项】：
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