[发明专利]位线接触节点电阻的测量方法及设备在审
| 申请号： | 202210916929.3 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115267335A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 白新;姜焕德 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 屈蓓;臧建明 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种位线接触节点电阻的测量方法及设备，该方法包括：测量DRAM上位线的第一电阻；在位线连接的第一晶体管处于导通状态的情况下，测量第一通路的第二电阻，第一通路中包括：第一晶体管的节点接触、字线沟道、位线接触节点、读写位线；在位线连接的两个相邻晶体管处于导通状态的情况下，测量第二通路的第三电阻，第二通路中包括：两个相邻晶体管的字线沟道、节点接触；根据第一电阻、第二电阻和第三电阻，确定位线接触节点电阻。本公开通过多次测量以分别确定第一至第三电阻，以求解出位线接触节点电阻，位线接触节点电阻相当于从多个方程式中求解得到的，排除了位线电阻以及沟道电阻，提高了位线接触节点电阻的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 节点 电阻 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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