[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210895645.0 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115274417A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 赵行乐;孙正庆 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8242;H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周旋 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和位于阵列区外围的外围区，阵列区内形成有器件结构，外围区形成内有栅极结构；形成初始氧化层，初始氧化层覆盖阵列区、外围区裸露的表面以及栅极结构；去除位于阵列区、位于外围区裸露的表面及位于栅极结构顶部的初始氧化层，以于栅极结构的侧壁形成第一氧化层；对外围区的有源区进行离子注入，以于有源区内形成源区及漏区；形成氮化层和第二氧化层，氮化层覆盖阵列区和外围区，第二氧化层覆盖阵列区以及栅极结构之间的氮化层上。本发明有利于位线所在金属层完全蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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