[发明专利]一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件

摘要

一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件，属于光电探测技术领域。以硅/二氧化硅为衬底，二氧化硅上为二维铁电半导体材料选用α‑In2Se3，二维铁电材料α‑In2Se3上表面经过氧等离子体处理后形成界面绝缘介质层，绝缘介质层上边用机械剥离方法制备二维过渡金属硫族化合物；在二维铁电半导体材料和二维过渡金属硫族化合物上分别通过电极粘附层粘结金属电极。所述器件在二维铁电栅的作用下，得到暗电流低，响应度高的光电探测性能；该器件还有一定光记忆功能，适用于探测记忆一体的多功能器件；本发明的栅介质层制备方法简易，适用于大规模制备，成本低；可应用于光电探测技术领域和人工视觉仿生领域。