[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210872263.6 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115274864A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/31;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院，未经北京大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210872263.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
