[发明专利]一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202210864713.7 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115274830A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiN |
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| 搜索关键词： | 一种 algan 外延 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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