[发明专利]一种硒薄膜/碲薄膜室内光伏器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210861576.1 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115101610A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 薛丁江;胡劲松;闫彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272;H01L31/0445;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙) 11868 | 代理人： | 王维佳;艾变开 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒薄膜/碲薄膜室内光伏器件，结构为导电玻璃/电子传输层/碲薄膜/硒薄膜/金电极。所述碲薄膜的厚度0.5‑5nm，硒薄膜的厚度为0.5‑3μm。本发明成功的展示了硒薄膜在室内光伏领域的应用，制备的硒薄膜室内光伏器件具有较高的能量转化效率，在室内光下表现出了较好的稳定性。有利的推动了硒薄膜在室内光伏的发展，并且在物联网领域的应用表现出了巨大的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 室内 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
