[发明专利]用于生成掩模图案的方法在审
| 申请号: | 202210855723.4 | 申请日: | 2022-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN115685665A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 艾曼·哈穆达;毛东 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/76 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本文描述了一种用于为光刻过程生成掩模图案的方法。这涉及通过应用第一平滑函数来生成分段掩模图案的平滑表示,并且通过多个分段特征中的一个或多个的变化集合调整分段掩模图案。进一步,通过使用经调整的分段掩模图案的平滑掩模图案,直到终止条件被满足为止,图案化过程模拟以迭代方式被执行。在每次迭代中,在调整分段掩模图案时,平滑掩模图案由过程模型生成和使用以模拟图案化过程。一旦所述终止条件被满足,作为结果的分段掩模图案被获得。然后,最终掩模图案通过将第二平滑函数应用于作为结果的分段掩模图案来生成。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 生成 图案 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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