[发明专利]发光二极管和发光装置在审
| 申请号： | 202210852154.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115148869A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈劲华;王彦钦;徐翀;陈沙沙;林坤德;许凯晴;侯世杰;黄少华;郭桓邵;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于阱层的带隙；其特征在于：靠近第一表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙小于靠近第二表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙；靠近第一表面一侧至少一个周期的阱层的厚度大于靠近第二表面一侧至少一个周期的阱层的厚度。本发明可提升载流子在量子阱结构中的均匀分布，从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率，同时可提升发光二极管的稳定性及抗老化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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