[发明专利]3D CMOS图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 202210850651.4 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115020437A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 周成;王厚有 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种3D CMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，阱区形成于所述光电二极管上方并与所述光电二极管连接，所述阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，浮置扩散区形成于所述衬底上且位于所述阱区上方，并与所述阱区连接；以及，传输栅，传输栅浮置于所述衬底上方且将所述阱区包围，所述传输栅为金属栅。通过将所述传输栅和浮置扩散区浮置于所述衬底上方，浮置扩散区可以自由扩展面积，增加满阱容量。另外，使用金属栅作为传输栅，减少了栅电阻，增加传输栅响应速度，有利于增加光量子效率。采用薄膜空腔结构构成阱区，阱区无需作额外的离子注入掺杂，有利于降低工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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