[发明专利]嵌入式SONOS器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种嵌入式SONOS器件及其制备方法，其中方法包括：去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第一厚度的ONO膜层；采用湿法刻蚀工艺去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第二厚度的ONO膜层；去除所述存储管区的第一厚度的ONO膜层、去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第三厚度的ONO膜层；形成第一栅氧化层；形成第二栅氧化层。本申请利用湿法刻蚀工艺去除第二厚度的ONO膜层，避免了ONO膜层中的氮化硅残留的情况。进一步的，本申请分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层，并且在这之后没有其他湿法工艺步骤，减少了因湿法工艺带来ONO的膜厚的波动，减小了SONOS器件窗口的散度，提升了器件的性能。