[发明专利]一种高通量薄膜沉积设备、刻蚀设备及其方法在审
| 申请号： | 202210834295.7 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116770222A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李卫民;陈玲丽 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/50;C23C14/28;C23C14/34;C23C16/04;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种高通量薄膜沉积设备、刻蚀设备及其方法，包括反应腔室、载台控制装置及工艺隔离装置；载台控制装置包括衬底载台及主载台，且衬底载台位于主载台上，衬底载台用以承载待沉积或待刻蚀的衬底并带动衬底运行，主载台用于承载衬底载台并带动衬底载台运行；工艺隔离装置用以提供位于衬底载台上方的工艺隔离区，通过工艺隔离区实现在工艺过程中的工艺隔离，使得工艺过程仅在工艺隔离区内进行，以实现对衬底的局部区域进行隔离式工艺过程，且结合载台控制装置的运行最终实现单一衬底上多个局部区域的独立和均匀的工艺过程。本发明设备结构简单、适用性广、易于操作、可制备高均一性薄膜及刻蚀形貌，具有良好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通量 薄膜 沉积 设备 刻蚀 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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