[发明专利]金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器在审
| 申请号： | 202210830902.2 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115201281A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李文华;徐强 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉;孙果 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器，所述制备方法包括步骤：对提供的基底进行持续加热并保持在第一预设温度，将第一预定体积的金属有机框架前驱液转移到基底上，然后进行第一次煅烧，冷却后在基底上制备得到薄膜前体；对表面上含有薄膜前体的基底进行持续加热并保持在第一预设温度，将第二预定体积的金属有机框架前驱液转移到所述薄膜前体上，然后进行第二次煅烧，在所述基底上制备得到所述金属氧化物半导体多孔薄膜。本发明提供的制备方法制备过程简单、成膜质量好、高效且环境友好、成本低、可以实现连续的大面积生产。得到的薄膜中氧化物颗粒间的接触电阻小、具有优异的电子导电性及优异的气体传感性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 多孔 薄膜 及其 制备 方法 气体 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学，未经南方科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210830902.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
