[发明专利]一种改进磁场特性参数的磁场发生装置在审

专利信息
申请号: 202210812941.X 申请日: 2022-07-12
公开(公告)号: CN115410788A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 彭德炜;肖京平;朱秀萍;杜博枝;闫国鑫;史雨;李玉慧;礼邵博;孟龙;韩向东 申请(专利权)人: 中国空气动力研究与发展中心空天技术研究所
主分类号: H01F5/00 分类号: H01F5/00;H01F5/02
代理公司: 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 代理人: 陈彦波
地址: 621000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种改进磁场特性参数的磁场发生装置,包括第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和一对线圈支撑,两个第一亥姆霍兹线圈共轴且平行的套设在一对线圈支撑外侧,一对线圈支撑的内侧安装有两个第二亥姆霍兹线圈和两个第三亥姆霍兹线圈,第三亥姆霍兹线圈的半径小于第二亥姆霍兹线圈,两个第二亥姆霍兹线圈分别与两个第一亥姆霍兹线圈的水平高度相同且共轴,两个第三亥姆霍兹线圈的轴向距离大于两个第一亥姆霍兹线圈的轴向距离;一对线圈支撑外侧还安装有两个调节线圈,调节线圈能够相对第一亥姆霍兹线圈旋转‑10°~10°。本发明能够实现释放磁体处磁场能量、调节磁场方向以及改善磁场性能参数的目的,改造成本低、效果好。
搜索关键词: 一种 改进 磁场 特性 参数 发生 装置
【主权项】:
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