[发明专利]一种多阈值堆叠纳米片GAA-FET器件阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202210810614.0 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115274448A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;姚佳欣;张青竹;魏延钊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多阈值堆叠纳米片GAA‑FET器件阵列及其制备方法，其中，多阈值堆叠纳米片GAA‑FET器件阵列包括两组或多组GAA‑FET器件，每组GAA‑FET器件包括：所述GAA‑FET器件阵列中每组所述GAA‑FET器件中的纳米片堆栈部总高度相同，其中第一组GAA‑FET器件中纳米片厚度大于第二GAA‑FET器件单元中纳米片厚度，第一组GAA‑FET器件中环绕式栅极中的金属栅厚度小于第二组GAA‑FET器件中环绕式栅极中的金属栅厚度，以此在后继工艺中获得不同的器件阈值。本发明的技术方案通过不同纳米片沟道厚度与上下间距以实现不同厚度金属栅薄膜填充，可以精确控制器件多阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 堆叠 纳米 gaa fet 器件 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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