[发明专利]一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 202210807191.7 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114864762B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 谢志文;张铭信;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L21/02;H01L21/335;H01L21/67;C23C16/30;C23C16/52 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法，包括：硅衬底、复合缺陷过滤层和氮化物功能层；复合缺陷过滤层包括第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层；第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层生长过程中的生长压力逐次增加，通入氢气流量及均值生长温度均逐次减小；第一缺陷过滤层包括M层生长温度逐层增加，V/III比逐层减少的AlN层；第二缺陷过滤层包括N层Al组分逐层减少，V/III比逐层增加的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 缺陷 密度 氮化 半导体 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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