[发明专利]一种用于锂离子电池负极的二维硅纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210797541.6 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115010135A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张威;杨东;赵亮 | 申请（专利权）人： | 上海旦元新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/021;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海索源知识产权代理有限公司 31431 | 代理人： | 贾文健 |
| 地址： | 201914 上海市崇明区横*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种用于锂离子电池负极的二维硅纳米片及其制备方法。其主要针对现有的二维硅纳米片只能在实验室通过复杂的过程少量制备，缺少一种低能耗、可规模化制备二维硅纳米片的方法的问题，提出如下技术方案：按照以下方法制备而成：步骤一：硅合金在酸溶液中刻蚀得到多孔硅；步骤二：多孔硅通过气流粉碎机得到微米硅片；步骤三：微米硅片在分散剂的作用下，砂磨得到锂离子电池负极的二维硅纳米片。本发明制备能耗低，设备投入量低，降低二维硅纳米片的制备成本，推广二维硅纳米片的使用范围，应用二维硅纳米片的锂离子电池续航能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锂离子电池 负极 二维 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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