[发明专利]一种β-Ga2在审

专利信息
申请号: 202210778296.4 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN115274012A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 徐晓东;魏亚东;李兴冀;杨剑群 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G16C60/00 分类号: G16C60/00
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 代理人: 鲍丽伟
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法,包括:构建β‑Ga2O3原胞,通过调整HSE与PBE的比例,选择禁带宽度与实验值一致的混合参数作为实验参数;对β‑Ga2O3原胞进行扩胞,得到β‑Ga2O3超胞;在β‑Ga2O3超胞中构建缺陷模型,并对缺陷模型进行结构优化,选择步骤S3中得到的实验参数对缺陷模型结构进行自洽计算;提取步骤S5中计算文件的数据,获得所述稳定的缺陷模型的缺陷形成能和电荷转移能级。本发明提供的β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法利用HSE和PBE的杂化泛函计算缺陷形成能和电荷转移能级能够避免低估β‑Ga2O3中带隙的问题,获得更接近实验数据的计算结果。
搜索关键词: 一种 ga base sub
【主权项】:
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