[发明专利]半导体装置与其制造方法在审
| 申请号： | 202210769449.9 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115020239A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 萧逸楷;徐閺正;蒋光浩;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 鸿海精密工业股份有限公司;鸿扬半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体装置的方法包含形成光阻于基板上。以光阻为遮罩，形成P型重掺杂区域于基板中。形成牺牲层于基板上并覆盖P型重掺杂区域。执行第一湿蚀刻工艺以图案化牺牲层，使得牺牲层侧壁在P型重掺杂区域内侧的基板上。以牺牲层为遮罩，形成N型重掺杂区域于基板中，N型重掺杂区域相邻P型重掺杂区域。执行第二湿蚀刻工艺以内缩牺牲层至N型重掺杂区域内侧的基板。以牺牲层为遮罩，形成P型轻掺杂区域于基板中，P型轻掺杂区域相邻N型重掺杂区域且接触P型重掺杂区域与N型重掺杂区域的底部。移除牺牲层。本方法可降低半导体装置的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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