[发明专利]基于次序物理沉积的压电厚膜制备方法及工业级压电厚膜有效
| 申请号： | 202210761175.9 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115216745B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 孟德超;孙翔宇;陈余;徐驰;周泉丰 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/28;H10N30/06;H10N30/076;H10N30/853 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理有限公司 51220 | 代理人： | 王鹏程 |
| 地址： | 621054 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于次序物理沉积的压电厚膜制备方法及工业级压电厚膜，包括确定需制备的压电厚膜的厚度；将压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并确定厚膜主体的厚度和顶电极的厚度；采用磁控溅射沉积法在基底上制备厚膜主体；厚膜主体制备完成后，以厚膜主体为基片，在厚膜主体上采用脉冲激光沉积法制备顶电极；获得所需的压电厚膜；本发明通过将需制备的压电厚膜拆分为厚膜主体和顶电极，并通过磁控溅射沉积法制备厚膜主体，通过脉冲激光沉积法制备顶电极，利用低成本磁控沉积法制备压电厚膜主体，然后利用高真空脉冲激光沉积法制备顶电极，实现压电薄膜大厚度、大尺寸和高性能的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 次序 物理 沉积 压电 制备 方法 工业 | ||
【主权项】：
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