[发明专利]InP半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202210760657.2 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114937922A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 剌晓波;李振宇;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP半导体激光器的制作方法，包括：在InP衬底上生长第一外延层；在第一外延层上生长InP间隔层、光栅层；在光栅层上生长包括InP填充层、刻蚀停止层、InP包层及InGaAs盖层的第二外延层；刻蚀InP包层、InGaAs盖层，以形成脊波导；在刻蚀停止层和脊波导上外延生长氧化硅连接层；在氧化硅连接层上生长多晶硅层；刻蚀多晶硅层，形成多晶硅波导层，其中，多晶硅波导层与脊波导的楔形波导的周边连接；在氧化硅连接层、脊波导、多晶硅波导层上生长氧化硅钝化层；去除脊波导上的氧化硅钝化层，形成电极窗口；在电极窗口上形成正面电极层，在InP衬底的与第一外延层相反的一侧形成背面电极层。本发明还提供一种上述的制作方法得到的InP半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | inp 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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