[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统有效
| 申请号： | 202210759614.2 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115092931B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;G05B19/418 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张萍;罗建民 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 控制 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
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