[发明专利]一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件有效
申请号: | 202210757304.7 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN114914295B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 任敏;李曦;梁世琦;周春颖;李泽宏;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件,通过将槽栅底部氧化层去除,使槽底屏蔽层、漂移区、衬底形成二极管结构。同时栅极多晶硅为上下两种不同掺杂类型结构,不仅可以提高正向导通情况下的开关速度,同时在反向导通状况下也可作为二极管导通电流。因此在反向导通情况下,器件不仅具有很强的电流驱动能力,同时由于多晶硅二极管的存在,大大降低了器件的反向导通电压。因此,本发明结构在保证UMOS原有的基本电学性能的基础上,有效提高了器件正向导通下的开关速度,还优化了器件的三象限特性,适合用于碳化硅器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 优良 正反 向导 特性 umos 器件 | ||
【主权项】:
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