[发明专利]一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件有效

专利信息
申请号: 202210757304.7 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN114914295B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 任敏;李曦;梁世琦;周春颖;李泽宏;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种具有优良正反向导通特性的UMOS器件,通过将槽栅底部氧化层去除,使槽底屏蔽层、漂移区、衬底形成二极管结构。同时栅极多晶硅为上下两种不同掺杂类型结构,不仅可以提高正向导通情况下的开关速度,同时在反向导通状况下也可作为二极管导通电流。因此在反向导通情况下,器件不仅具有很强的电流驱动能力,同时由于多晶硅二极管的存在,大大降低了器件的反向导通电压。因此,本发明结构在保证UMOS原有的基本电学性能的基础上,有效提高了器件正向导通下的开关速度,还优化了器件的三象限特性,适合用于碳化硅器件。
搜索关键词: 一种 具有 优良 正反 向导 特性 umos 器件
【主权项】:
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