[发明专利]高耐压垂直型二极管及其制备方法在审
申请号: | 202210752449.8 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115172471A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 邹苹;李博;廖泽亮;王灏帆;刘新科 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/207;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明提供一种高耐压垂直型二极管及其制备方法,二极管包括:衬底;N型GaN漂移层,设置于衬底的第一面上,N型GaN漂移层的掺杂浓度小于或等于1×10 |
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搜索关键词: | 耐压 垂直 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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