[发明专利]高耐压垂直型二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210752449.8 申请日: 2022-06-28
公开(公告)号: CN115172471A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 邹苹;李博;廖泽亮;王灏帆;刘新科 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/207;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 523000 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种高耐压垂直型二极管及其制备方法,二极管包括:衬底;N型GaN漂移层,设置于衬底的第一面上,N型GaN漂移层的掺杂浓度小于或等于1×1015cm3;P型GaN层,设置于N型GaN漂移层上,P型GaN层设置为呈自下而上依次缩进的台阶结构;P电极,形成于P型GaN层的顶部;N电极,形成于衬底的第二面。本发明的垂直型二极管,在衬底上外延生长了一层极低掺杂浓度的GaN漂移层,并将二极管的结构制作成多重斜梯式,从而减少台阶边缘处的应力集中和电场集中,本发明的二极管可以实现更高的可靠性、更高的耐压性能及更长时间的正常工作,并可提高器件使用寿命。
搜索关键词: 耐压 垂直 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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