[发明专利]一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法有效
| 申请号： | 202210745738.5 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114817843B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄立;薛堪豪;王晓碧;刘永锋;杨晟鑫;吴佳;周文洪 | 申请（专利权）人： | 武汉高德红外股份有限公司;武汉高芯科技有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/15 | 分类号： | G06F17/15 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 刘思敏 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各半导体的晶格常数满足设定要求，确定对应的泛函参数以及各元素的赝势和基组；基于以上步骤优化得到的泛函参数以及各元素的赝势、基组，计算超晶格红外探测材料的能带结构。本发明可以实现各种超晶格红外探测材料的能带结构的精确计算。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 红外 探测 材料 能带 结构 计算方法 | ||
【主权项】：
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