[发明专利]一种微机械凸起结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210722856.4 申请日: 2022-06-24
公开(公告)号: CN114988344A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 陈骁;何政达;万蔡辛;赵成龙;蔡春华;巩啸风;蒋樱;林谷丰 申请(专利权)人: 无锡韦感半导体有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;武玥
地址: 214000 江苏省无锡市新吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种微机械凸起结构及其制备方法,所述凸起结构的材料为单一绝缘材料或是绝缘材料与导电材料构成的复合层材料,用于防止可动结构运动时相邻结构相互粘合。制备方法的步骤为:沉积下结构薄膜材料并进行图形化;沉积牺牲层,光刻刻蚀形成凹坑;沉积凸起结构薄膜材料,填充牺牲层表面凹坑,形成凸起结构;利用CMP进行表面平坦化并局部定义凸起结构:若凸起结构为复合材料,CMP磨平至复合层下层材料表面,再光刻刻蚀去除无效复合层下层材料;若凸起结构为单一材料,CMP磨平至牺牲层表面;沉积上结构薄膜材料;通过释放孔释放牺牲层得到凸起结构。本发明实现了通过凸起结构防止相邻结构粘合,同时,选用导电材料设计增加电容元件的灵敏度。
搜索关键词: 一种 微机 凸起 结构 及其 制备 方法
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