[发明专利]金属栅晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202210713425.1 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115116836A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅晶体管的制造方法，包括：步骤一、提供形成有金属栅的底部阻障层的半导体衬底，定义出第一区域和第二区域并在第一区域中形成第一薄膜，第一薄膜选用能抑制后续第一功函数金属层生长的材料。步骤二、进行第一功函数金属层的生长，利用第一薄膜具有抑制所述第一功函数金属层的生长的特性，使第一功函数金属层仅在第二区域中进行生长。步骤三、去除第一区域的所述第一薄膜。本发明能实现功函数金属层的选择性生长，能避免功函数金属层的刻蚀工艺对底部阻障层产生损伤或对功函数金属层本身产生侧向刻蚀作用，从而能提高器件的可靠性和防止器件的阈值电压产生漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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