[发明专利]具有四层外延的碳化硅凹槽MOS栅控晶闸管的制造方法有效
| 申请号： | 202210711338.2 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN114783875B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李昀佶;杨光锐;张长沙;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/745;H01L29/749 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有四层外延的碳化硅凹槽MOS栅控晶闸管的制造方法，包括：在碳化硅四层外延晶圆上淀积形成掩膜，使用相应光刻版对掩膜进行刻蚀开孔；通过掩膜阻挡对N+区进行凹槽刻蚀，刻穿N+区露出P+发射区，形成第一凹槽，同理得到第二凹槽，去除掩膜层；并刻穿N+区、P+发射区、N‑型基区露出P‑型漂移区，去除掩膜层；在晶圆表面生长栅氧，使用相应光刻版对栅氧进行刻蚀开孔，形成第一栅氧化层以及第二栅氧化层；之后形成第一多晶硅栅电极以及第二多晶硅栅电极；保留第二凹槽内以及两个N+区上方金属电极作为器件的阳极金属电极；在碳化硅晶圆背面生长金属电极作为器件的阴极金属电极，便于制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 碳化硅 凹槽 mos 晶闸管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司，未经泰科天润半导体科技（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210711338.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
