[发明专利]一种碳化硅外延层生长方法有效
| 申请号： | 202210710329.1 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN114775046B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王蓉;李佳君;皮孝东;李东珂;刘小平;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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