[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器在审
| 申请号： | 202210707418.0 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115274670A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/06;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;徐川 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了半导体结构及其制作方法、存储器，包括：衬底，位于衬底上方的多个第一有源柱、存储结构、多个晶体管、多个第二有源柱；多个第一有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布；第一方向和第二方向均与第一有源柱的延伸方向垂直，第一方向和第二方向相交；衬底包括隔离结构，第一有源柱位于隔离结构上；存储结构包括第一电极层、介质层和第二电极层，第一电极层覆盖第一有源柱的侧壁，介质层至少覆盖第一电极层的表面，第二电极层覆盖介质层的表面，介质层和第二电极层的底部嵌入隔离结构中；每一第二有源柱均位于相应的一个第一有源柱的上方；每一晶体管的沟道结构位于第二有源柱内，沟道结构的延伸方向与第二有源柱的延伸方向相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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