[发明专利]GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管在审
| 申请号： | 202210681315.1 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN114824012A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 展望;宋长伟;刘康;张雷城;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜;李锋 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管，该外延结构包括衬底（101），以及在衬底上依次生长的nGaN层（104）、量子阱层（106）以及pGaN层（109）；在量子阱层与pGaN层之间还生长有低温pGaN层（107），低温pGaN层由碳杂质含量较高的三甲基镓子层（1071）和碳杂质含量较低的三乙基镓子层（1072）交替生长而成。与现有技术相比，本发明采用三甲基镓与三乙基镓交替生长的方式形成低温PGaN层，降低低温PGaN层中碳杂质含量，降低了低温PGaN的电阻率，进而降低了发光二极管的正向电压，提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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