[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在审
| 申请号： | 202210660592.4 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN115273932A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C8/14;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 芯片 电阻 存储器 阵列 不可 克隆 特性 独特 标识符 | ||
【主权项】：
暂无信息
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