[发明专利]磷化铟基波导探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210652911.7 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN114899246A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 肖帆;韩勤;叶焓;王帅;肖峰;褚艺渺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磷化铟基波导探测器及其制备方法，该探测器包括：磷化铟衬底；沉积于所述磷化铟衬底上的外延结构层，外延结构层包括：第一欧姆接触层，形成于磷化铟衬底上；强化吸收层，形成于第一欧姆接触层上，强化吸收层形成包层‑吸收层‑包层结构，用于吸收红外波段的光波；第二欧姆接触层，形成于强化吸收层上；其中，强化吸收层整体折射率大于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一电极，与第一欧姆接触层连接；以及第二电极，与第二欧姆接触层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 基波 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
