[发明专利]一种硅片扩散方法以及电池片制备方法在审
| 申请号： | 202210625701.9 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115036209A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 祁文杰;梁笑;毛文龙;范伟;卢佳 | 申请（专利权）人： | 拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/673;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片扩散方法以及电池片制备方法,本发明通过在石英舟上单片区域和下单片区域装载单片硅片，双片区域装载双片硅片，在扩散时，双片硅片采用单面扩散，单片硅片双面扩散。上单片区域以及下单片区域中装载硅片朝向双片区域的一面为扩散面，非朝向双片区域的一面为非扩散面。其中，硅片非朝向双片区域的一面通过扩散后的刻蚀工序进行完全去除绕扩绕扩，从而形成非扩散面，消除该面因靠近热场而导致的低方阻影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 扩散 方法 以及 电池 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
