[发明专利]薄膜结构、包括其的半导体器件、晶体管以及半导体装置在审
| 申请号： | 202210624256.4 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115440805A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 崔悳铉;许镇盛;文泰欢;赵常玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种薄膜结构、包括该薄膜结构的半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置。薄膜结构包括基板和在基板上的铁电层。铁电层包括具有萤石结构的化合物，其中001晶向在基板的法线方向上取向，并且具有正交相并包含氟。铁电层可以具有铁电性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 结构 包括 半导体器件 晶体管 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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